Характеристики
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38
CAS Latency (CL)
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
Row Precharge Delay (tRP)
18
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.2 В
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Объем одного модуля
8 ГБ
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
25600 МБ/с
Тактовая частота
3200 МГц
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор модуля памяти
SODIMM
Отзывов0
0/ 5
средний рейтинг товара
Нет отзывов об этом товаре.
