Характеристики
Activate to Precharge Delay (tRAS)
39
CAS Latency (CL)
17
RAS to CAS Delay (tRCD)
17
Row Precharge Delay (tRP)
17
Количество рангов
2
Напряжение питания
1.2 В
Объем одного модуля
8 ГБ
Поддержка ECC
нет
Поддержка XMP
нет
Пропускная способность
21300 МБ/с
Радиатор
нет
Тактовая частота
2666 МГц
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор модуля памяти
DIMM
Отзывов0
0/ 5
средний рейтинг товара
Нет отзывов об этом товаре.