Характеристики
Activate to Precharge Delay (tRAS)
24
CAS Latency (CL)
9
RAS to CAS Delay (tRCD)
9
Row Precharge Delay (tRP)
9
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
1
Напряжение питания
1.5 В
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Объем одного модуля
4 ГБ
Поддержка ECC
нет
Пропускная способность
10600 МБ/с
Тактовая частота
1333 МГц
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор модуля памяти
SODIMM
Отзывов0
0/ 5
средний рейтинг товара
Нет отзывов об этом товаре.
