Характеристики
Activate to Precharge Delay (tRAS)
18
CAS Latency (CL)
6
RAS to CAS Delay (tRCD)
6
Row Precharge Delay (tRP)
6
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
200
Количество модулей в комплекте
1
Количество рангов
1
Количество чипов каждого модуля
16
Напряжение питания
1.8 В
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Объем одного модуля
2 ГБ
Поддержка ECC
нет
Поддержка XMP
нет
Подсветка элементов платы
нет
Пропускная способность
6400 МБ/с
Радиатор
нет
Суммарный объем памяти всего комплекта
2 ГБ
Тактовая частота
800 МГц
Тип памяти
DDR2
Форм-фактор модуля памяти
SODIMM
Отзывов0
0/ 5
средний рейтинг товара
Нет отзывов об этом товаре.
