Характеристики
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
204
Количество модулей в комплекте
1
Количество рангов
1
Количество чипов каждого модуля
16
Напряжение питания
1.5 В
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Объем одного модуля
4 ГБ
Поддержка ECC
нет
Поддержка XMP
нет
Пропускная способность
12800 МБ/с
Радиатор
нет
Суммарный объем памяти всего комплекта
4 ГБ
Тактовая частота
1600 МГц
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор модуля памяти
SODIMM
Отзывов0
0/ 5
средний рейтинг товара
Нет отзывов об этом товаре.
