Характеристики
Activate to Precharge Delay (tRAS)
42
CAS Latency (CL)
19
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Буферизованная (Registered)
нет
Количество контактов
260
Количество модулей в комплекте
1
Количество рангов
1
Количество чипов каждого модуля
8
Напряжение питания
1.2 В
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Объем одного модуля
8 ГБ
Поддержка ECC
нет
Поддержка XMP
есть
Пропускная способность
21300 МБ/с
Радиатор
нет
Суммарный объем памяти всего комплекта
8 ГБ
Тактовая частота
2666 МГц
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор модуля памяти
SODIMM
Отзывов0
0/ 5
средний рейтинг товара
Нет отзывов об этом товаре.
